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PD电源

MOSFET
第三代半导体
智能功率�？�
IGBT
应用计划

PD电源

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Part
Vds Min (V)
ID@TC=25℃
RDS(on) Max 10V(mΩ)
RDS(on) Max 4.5V(mΩ)
PD@TC=25℃ (W)
Vgs(±V)
Vth (V)
Ciss Typ(pF)
Qg Typ(nC)
Configuration
Package
Application
同类型号
Status
HYG090N06LS1C2
60
60
9.2
14.1
62.5
20
1~3
926
18.5
Single - N
PDFN8L(5x6)
DC-DC / AC-DC同步整流 / 电源
MP
HYG090N06LS1C2
产品特性：

此器件为N 沟道、60V耐压、内阻7.7mΩ、PDFN5*6封装产品 ，芯片接纳SGT工艺设计 ，该器件适合高频应用 ，可满足如AC-DC同步整流 ，高频DC-DC转换等应用领域。

HYG052N06LS1D
60
67
6.6
9.1
60
20
1~3
1638
28.7
Single - N
TO-252-2L
DC-DC / AC-DC同步整流 / 电源
MP
HYG052N06LS1D
产品特性：

此器件为N 沟道、60V耐压、内阻5.5mΩ、DPAK封装产品 ，芯片接纳SGT工艺设计 ，该器件适合高频应用 ，可满足如AC-DC同步整流 ，高频DC-DC转换、电机驱动等应用领域。

HYG072N10LS1C2
100
80
7.5
11
75
20
1~3
2980
56
Single - N
PDFN8L(5x6)
DC-DC / AC-DC同步整流 / 电源
MP
HYG072N10LS1C2
产品特性：

此器件为 100V、6.0mΩ、PDFN8L(5x6)封装产品 ，接纳SGT流片工艺 ，该器件适合高频应用 ，可满足如同步整流 ，电机驱动 ，高频DC-DC转换等应用领域。

HYG110N11LS1C2
115
60
13
19.0
71.4
20
1~3
2606
45.5
Single - N
PDFN8L(5x6)
DC-DC / AC-DC同步整流 / 电源
MP
HYG110N11LS1C2
产品特性：

此器件为 115V、9.8mΩ、PDFN8L(5x6)封装产品 ，接纳SGT流片工艺 ，该器件适合高频应用 ，可满足如同步整流 ，电机驱动 ，高频DC-DC转换等应用领域。

Part
Vds Min (V)
ID@TC=25℃
RDS(on) Max 10V(mΩ)
RDS(on) Max 4.5V(mΩ)
PD@TC=25℃ (W)
Vgs(±V)
Vth (V)
Ciss Typ(pF)
Qg Typ(nC)
Configuration
Package
Application
同类型号
Status
HYG090P03LA1C1
-30
-40
9.5
14
25
20
-1~-3
2992
60
Single - P
电池�；ぐ� / DC-DC / 负载开关
MP
HYG090P03LA1C1
产品特性：

此器件为 P 沟道、-30V耐压、7.9mΩ内阻、DFN8L(0303)封装产品 ，芯片接纳Trench工艺设计。该器件抗攻击能力强 ，适合较低开关频率应用 ，可满足负载开关、电池�；ぐ�...

HY12P03S
-30
-12
13
16
3.1
20
-1~-3
2350
34
Single - P
SOP8L
电池�；ぐ� / DC-DC / 负载开关
AO4435/AO4407
MP
HY12P03S
产品特性：

此器件为 P 沟道、-30V耐压、10.8mΩ内阻、SOP8L封装产品 ，芯片接纳Trench工艺设计。该器件抗攻击能力强 ，适合较低开关频率应用 ，可满足负载开关、电池�；ぐ宓扔τ昧煊�...

HYG260P03LR1S
-30
-8
30
55
3
20
-1~-3
1210
18.5
Single - P
SOP8L
电池�；ぐ� / DC-DC / 负载开关
MP
HYG260P03LR1S
产品特性：

此器件为 P 沟道、-30V耐压、21.6mΩ内阻、SOP8L封装产品 ，芯片接纳Trench工艺设计。该器件抗攻击能力强 ，适合较低开关频率应用 ，可满足负载开关、电池�；ぐ宓扔τ昧煊�...

HYG035N02KA1C2
20
95
N/A
3.5
57.5
12
0.3~1.0
4082
47.5
Single - N
PDFN8L(5x6)
电池�；ぐ� / 负载开关
MP
HYG035N02KA1C2
产品特性：

此器件为 N 沟道、20V耐压、2.6mΩ内阻、PDFN8L(5x6)封装产品 ，芯片接纳Trench工艺设计。该器件抗攻击能力强 ，适合较低开关频率应用 ，可满足电机驱动/电池�；さ扔�...

HYG032N02KQ1C2
25
100
N/A
3.2
62.5
12
0.4~1.2
4154
57.3
Single - N
PDFN8L(5x6)
电池�；ぐ�
HYG035N02KA1C2
MP
HYG032N02KQ1C2
产品特性：

此器件为25V、2.5mΩ、PDFN5*6封装产品 ，接纳Trench流片工艺 ，可满足如锂电池�；ぐ宓扔τ昧煊�

HYG080ND03LA1S
30
11
12
15
2.5
20
1~3
680
14.6
Dual - N
SOP8L
电池�；ぐ� / DC-DC / 信号驱动
MP
HYG080ND03LA1S
产品特性：

此器件为 N 沟道、30V耐压、9.5mΩ内阻、SOP8L双通道封装产品 ，芯片接纳Trench工艺设计。该器件抗攻击能力强 ，适合较低开关频率应用 ，可满足电机驱动/电池�；�/负载开关...

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