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产品与计划

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SGT MOSFET

MOSFET
第三代半导体
智能功率模块
IGBT
应用计划
HYG054N09NS1P

HYG054N09NS1P

此器件为 85V、4.8mΩ、TO-220FB-3L封装产品,接纳SGT流片工艺,可满足如直流电动机等应用领域。

特性

低内阻

优异的QG

低输入电容

切合RoHS标准



优势

通态损耗小

稳定的工艺能力

高可靠性



应用

电动车控制器  

HYG054N09NS1P

模型

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