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产品与计划

提供包括封装设计、封装、测试、可靠性验证等成套封测计划

半桥

产品筛选

Vds Min (V)
ID@TC=25℃
RDS(on) Max 10V(mΩ)
RDS(on) Max 4.5V(mΩ)
Ciss Typ(pF)
Part
Vds Min (V)
ID@TC=25℃
RDS(on) Max 10V(mΩ)
RDS(on) Max 4.5V(mΩ)
PD@TC=25℃ (W)
Vgs(±V)
Vth (V)
Ciss Typ(pF)
Qg Typ(nC)
Configuration
Package
Application
同类型号
Status
HYG150C04LR1C2
40 / -40
32 / -33
13.8 / 20
16.5 / 31
30
20
1~1.8
1088
25.4
N+P
PDFN8L(5x6)
电动工具
HYG150C04LR1C2
产品特性：

此器件N管为40V、11.5mΩ、P管为-40V、17.2mΩ、PDFN8L(5x6)封装产品，接纳Trench流片工艺，该器件可用在电动工具等应用领域。

HYG190C04LR1S
40 / -40
9 / 7
21 / 37
27 / 62
3
20
1~3/-1~-3
553
14
N+P
SOP8L
电动工具
HYG190C04LR1S
产品特性：

此器件N管为40V、18mΩ、P管为-40V、31mΩ、SOP8L封装产品，接纳Trench流片工艺，该器件可用在电动工具等应用领域。

HYG350C06LA1S
60 / -60
6.3 / -4.8
32 / 55
36 / 70
3
20
1~3/-1~-3
1041/951
19.3/25.1
N+P
SOP8L
电机驱动
MP
HYG350C06LA1S
产品特性：

此器件为60VN+P、N管32mΩ，P管55mΩ、SOP8L封装产品，接纳Trench流片工艺，该器件可满足如风机控制，电机驱动等应用领域的需求

HYG190C04LA1C2
-40 / 40
22.2 / -16
21.8 / 41.6
30.2 / 54.1
21.4
20
1~3
995
13.6
N+P
PDFN8L(5x6)
电机驱动 / DC-DC
MP
HYG190C04LA1C2
产品特性：

此器件为40V N+P结构、15.7/33.1mΩ内阻、PDFN5*6封装产品，芯片接纳Trench工艺设计。该器件抗攻击能力强，适合较低开关频率应用，可满足电机驱动、DC-DC等...

HYG110C03LR1D4
30 / -30
25 / -17
12 / 26
17 / 55
21
20
1~3
762
15.9
N+P
TO-252-4L
电机驱动
MP
HYG110C03LR1D4
产品特性：

此器件为30V N+P结构、9.0/21mΩ内阻、TO-252-4L封装产品，芯片接纳Trench工艺设计。该器件抗攻击能力强，适合较低开关频率应用，可满足云台、风机控制、推拿椅等...

HYG170C03LR1D4
30 / -30
22 / -18
17.5 / 27
27.5 / 55
21.4
20
1~3/-1~-3
408
9.2
N+P
TO-252-4L
电机驱动 / DC-DC
MP
HYG170C03LR1D4
产品特性：

此器件为30V N+P结构、14/21.5mΩ内阻、TO-252-4L封装产品，芯片接纳Trench工艺设计。该器件抗攻击能力强，适合较低开关频率应用，可满足电机驱动、DC-DC等...

HYG170C03LR1C2
-30 / 30
20 / -19
19 / 27
28 / 55
18.7
20
1~3/-1~-3
446
9.2
N+P
PDFN8L(5x6)
电机驱动 / DC-DC / 电源
MP
HYG170C03LR1C2
产品特性：

此器件为30V N+P结构、15/22mΩ内阻、PDFN8L（5x6）双基岛岛封装产品，芯片接纳Trench工艺设计。该器件抗攻击能力强，适合较低开关频率应用，可满足电机驱动、DC...

HYG110C03LR1C2
30 / -30
30 / -19
11
18
25
20
1~3
714
15.9
N+P
PDFN8L(5x6)
电机驱动 / DC-DC / 电源
MP
HYG110C03LR1C2
产品特性：

此器件为30V N+P结构、8.8/22mΩ内阻、PDFN8L（5x6）双基岛岛封装产品，芯片接纳Trench工艺设计。该器件抗攻击能力强，适合较低开关频率应用，可满足电机驱动、D...

HYG190C04LA1S
-40 / 40
-6.2 / 9
19
25
3
20
1~3
631
14.3
N+P
SOP8L
电机驱动
MP
HYG190C04LA1S
产品特性：

此器件为 40V SOP8L封装 N+P 结果产品，接纳Trench流片工艺，该器件可满足如云台、推拿椅等小动率电机驱动应用领域

HYG170C03LR1S
-30 / 30
-8 / 9.5
16.5 / 30
24.5 / 55
3.0/3.0
20/20
1~3/-1~-3
446/1210
13.7/18.5
N+P
SOP8L
电机驱动 / DC-DC
AOS4606
MP
HYG170C03LR1S
产品特性：

此器件为30V N+P结构、12.9/21.6mΩ内阻、SOP8L封装产品，芯片接纳Trench工艺设计。该器件抗攻击能力强，适合较低开关频率应用，可满足电机驱动、DC-DC等应用...

HYG190C04LA1D4
-40 / 40
-16.5 / 23
21 / 40
29 / 62
21.4/21.4
20/20
1~3/-1~-3
631/1012
14.3/20.1
N+P
TO-252-4L
电机驱动 / 信号驱动
MP
HYG190C04LA1D4
产品特性：

此器件为40V耐压、17/35mΩ内阻、 TO-252-4L N+P封装产品，芯片接纳Trench工艺设计。该器件抗攻击能力强，适合较低开关频率应用，可满足电机驱动等应用领域。

HYG320C06LA1S
-60 / 60
-4.2 / 7
26 / 71
32 / 89
2.5/2.5
20/20
1~3/-1~-3
1100/890
18/17
N+P
SOP8L
电机驱动 / DC-DC / 信号驱动
MP
HYG320C06LA1S
产品特性：

此器件为60V耐压、19/58mΩ内阻、 SOP8 双通道 N+P封装产品，芯片接纳Trench工艺设计。该器件抗攻击能力强，适合较低开关频率应用，可满足电机驱动/电池�；�/负载开...

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