永利集团

产品与计划

提供包括封装设计、封装、测试、可靠性验证等成套封测计划

首页 - 产品与计划 - MOSFET - SGT MOSFET

SGT MOSFET

MOSFET
第三代半导体
智能功率模块
IGBT
应用计划
HYG080N10LS1C2

HYG080N10LS1C2

此器件为 100V、6.9mΩ、PDFN5*6封装产品,接纳SGT流片工艺,该器件适合高频应用,可满足如同步整流,高频DC-DC转换等应用领域。

特性

低内阻     

优异的QG

低输入电容

切合RoHS标准 

100%  DVDS测试

100% UIL测试




优势

通态损耗小   

抗攻击能力强  

优异的导热及散热性能力

高可靠性

高功率密度 

稳定的工艺能力    

驱动损耗低

易装置



应用

   PD电源、AC-DC/DC-DC电源板

HYG080N10LS1C2

模型

?
网站地图