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MOSFET 第三代半导体 智能功率�？� IGBT 应用计划

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SGT MOSFET

MOSFET
第三代半导体
智能功率�？�
IGBT
应用计划

HYG035N06LS1C2

HYG035N06LS1C2

已停产

HYG035N06LS1C2产品说明书

特性

低内阻

切合RoHS标准

100% DVDS测试

100% UIL测试

优势

通态损耗小

应用

电动工具、锂电�；ぐ�

HYG035N06LS1C2

模型

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