技术介绍
BG：是背面减薄(Backside Gridding) ，接纳In-Feed削磨的方法 ，将晶圆厚度减薄到目的厚度。提高芯片热扩散效率、电性能、机械性能 ，减小封装体积 ，及划片加工量。
BM：是背面金属化(Backside Metallization) ， 使用电子束爆发高温（可达1000℃）蒸发金属 ，使金属原子在真空中直线运动 ，沉积在晶圆上 ，实现晶圆背面金属化。
CP：是晶圆测试(Chip Probing) ，接纳测试机、探针台以及探针卡来对晶圆进行测试 ，确保每颗芯片能满足器件的特征或设计规格书（Specification） ，制止因芯片电性不良造成封装损失。
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