此器件为 P 沟道、-30V耐压、4.4mΩ内阻、TO-252-2L封装产品 ，芯片接纳Trench工艺设计 。该器件抗攻击能力强 ，适合较低开关频率应用 ，可满足负载开关、电池�；ぐ宓扔τ昧煊� 。
特性
低内阻
切合RoHS标准
100% DVDS测试
100% UIL测试
领先的封装工艺
优势
通态损耗小
抗攻击能力强
高可靠性
稳定的工艺能力
应用
负载开关 ，DC-DC ，电池�；ぐ�
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