此器件为 P 沟道、-30V耐压、5.9mΩ内阻、PDFN8L(5x6)封装产品，芯片接纳Trench工艺设计。该器件抗攻击能力强，适合较低开关频率应用，可满足负载开关、电池� ；ぐ宓扔τ昧煊�。
特性
切合RoHS标准
100% DVDS测试
100% UIL测试
领先的封装工艺
优势
通态损耗小
抗攻击能力强
高可靠性
稳定的工艺能力
应用
DC-DC
电池� ；ぐ�
地点：西安经济技术开发区尚稷路8928号 邮箱：hy@hymexa.com; xa.sales@hymexa.com 电话：+86 29-86685706
语言
